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<p>천이층이 형성되지 않거나 또는 종래보다도 천이층을 얇게 할 수 있는, 결정성 반도체막의 형성방법과 이 형성방법을 적용한 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 기판 위 또는 기판 위에 형성된 절연막 위에 수소를 포함하는 반도체막을 형성하고, 이 수소를 포함하는 반도체막 위에 표면파 플라즈마에 의한 플라즈마 처리를 행하여 반도체의 결정핵을 발생시킨 후, 이 결정핵을 성장시킴으로써, 결정성 반도체막을 형성한다. 표면파 플라즈마 처리는 수소 및 희가스 중 하나 또는 둘 다를 포함하는 가스 중에서 행하는 것이 바람직하다.</p> |
