发明名称 METHOD FOR JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 접합 방법은 제1 반도체 기판 위에 정렬 키를 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 기판 및 상기 정렬 키 위에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 제1 금속층 패턴 및 제2 금속층 패턴을 형성하는 단계, 제2 반도체 기판 위에 제1 돌출부, 제2 돌출부 및 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부 사이에 위치하는 정렬 홈을 형성하는 단계, 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부 위에 각각 제3 금속층 패턴 및 제4 금속층 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 반도체 기판 및 상기 제2 반도체 기판을 접합하는 단계를 포함하고, 상기 제1 반도체 기판 및 상기 제2 반도체 기판의 접합 시, 상기 정렬 키는 상기 정렬 홈에 위치한다.
申请公布号 KR101542965(B1) 申请公布日期 2015.08.07
申请号 KR20130167810 申请日期 2013.12.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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