发明名称 Thin film transistor substrate and method of fabricating thereof
摘要 <p>전기적 특성이 향상되고 공정 시간이 감소된 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 표시판은, 절연 기판 상에 형성된 게이트 배선과, 게이트 배선 상에 형성된 산화물 액티브층 패턴과, 산화물 액티브층 패턴 상에 게이트 배선과 교차하도록 형성된 데이터 배선과, 산화물 액티브층 패턴 및 데이터 배선 상에 형성되고, 질화 규소로 이루어진 보호막과, 보호막 상에 형성된 화소 전극을 포함한다.</p>
申请公布号 KR101542840(B1) 申请公布日期 2015.08.07
申请号 KR20080088842 申请日期 2008.09.09
申请人 发明人
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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