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<p>수직형 GaN계 청색 LED는, 차례대로 실리콘 기판 위에 성장시킨 LRL(Low Resistance Layer)의 바로 위에 성장시킨 n-형 GaN 층을 갖는다. 한 실시예에서, LRL은 두께가 300 nm 미만인 주기를 갖는 저 시트저항 GaN/AlGaN 초격자이다. 초격자 상에 n-형 GaN 층을 성장시킴으로써 n-형 층의 격자 결함 밀도가 감소한다. LED의 에피택셜 층이 형성된 후, 도전성 캐리어를 상기 구조에 웨이퍼 접합시킨다. 이어서, 실리콘 기판을 제거한다. 전극을 추가하고 상기 구조를 개별화하여 완성된 LED 디바이스를 형성한다. 일부 실시예에서, LRL이 또한 전류 확산 기능을 수행하도록, 완성된 LED 디바이스에 LRL의 일부 또는 전부가 잔류한다. 다른 실시예에서, 완성된 LED 디바이스에 LRL의 일부도 존재하지 않도록 LRL 전부가 제거된다.</p> |
