Method for analyzing bulk metallic impurities in semiconductor wafer
摘要
<p>실시예의 반도체 기판의 금속 오염 평가 방법은, 반도체 기판을 가열하는 단계와, HF 또는 HNO중 적어도 하나를 포함하는 기체 상태의 물질에 의해 가열된 반도체 기판의 상부를 식각하는 단계와, 반도체 기판의 식각된 상부에 존재하는 금속 성분을 회수하는 단계 및 회수된 금속 성분을 분석하는 단계를 포함한다.</p>
