| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Blatts (11) eines Halbleitermaterials, wobei das Halbleitermaterial ein elementares Halbleitermaterial ist, welches das Folgende umfasst: Bereitstellen von mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2), welche zwischen sich eine Lücke (3) bilden; Bereitstellen einer geschmolzenen Legierung (4), welche das Halbleitermaterial umfasst, in der Lücke (3) zwischen den mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2); Bereitstellen eines gasförmigen Vorstufenmediums (5), welches das Halbleitermaterial liefert, in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); Bereitstellen eines Keimkristalls (6) des Halbleitermaterials in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); In-Kontakt-Bringen des Keimkristalls (6) mit der geschmolzenen Legierung (4); Anordnen der Öffnungselemente (1, 2) und der geschmolzenen Legierung (4) derart, dass die geschmolzene Legierung (4) durch die Oberflächenspannung zwischen den Öffnungselementen (1, 2) gehalten wird; allmähliches Zurückziehen des Keimkristalls (6) aus der geschmolzenen Legierung (4), wobei das Halbleitermaterial aus dem gasförmigen Vorstufenmedium (5), welches das Halbleitermaterial umfasst, in die geschmolzene Legierung (4) freigesetzt wird, wodurch die geschmolzene Legierung (4) mit dem Halbleitermaterial übersättigt wird. |
