| 摘要 |
<p>Ein Herstellungsverfahren für Halbleiterverbund-Epitaxialwafer (50), das folgende Schritten aufweist: ein dünner Siliziumfilm wird als erste Siliziumpufferschicht (52) auf ein Metallsubstrat (51) aufgebracht; eine dünne Halbleiterverbundschicht wird auf die erste dünne Siliziumpufferschicht (52) aufgebracht, sie bildet dann eine erste Halbleiterverbundpufferschicht (53), wobei die erste Halbleiterverbundpufferschicht (53) eine Dicke von 10μm bis 20μm hat; eine dünne Halbleiterpufferschicht wird auf die erste Halbleiterverbundpufferschicht (53) aufgebracht, sie bildet dann eine zweite Halbleiterverbundpufferschicht (54), wobei die zweite Halbleiterverbundpufferschicht (54) eine Dicke von 5,0 nm bis 20 nm hat; eine dünne Halbleiterpufferschicht wird auf die zweite Halbleiterverbundpufferschicht (54) aufkristallisiert, sie bildet dann die erste Halbleiterverbund-Epitaxialschicht (55); eine erste Wärmebehandlung wird durchgeführt; eine dünne Halbleiterverbundschicht wird auf die erste Halbleiterverbund-Epitaxialschicht (55) kristallisiert, sie bildet dann eine zweite Halbleiterverbund-Epitaxialschicht (56); und eine zweite Wärmebehandlung wird durchgeführt, um die Herstellung des Halbleiterverbund-Epitaxialwafers (50) abzuschließen, wobei die dünnen Halbleiterverbundschichten aus einem der Halbleiterverbundmaterialien der Zweielementegruppe III/V Galliumarsenid (GaAs), Aluminumarsenid (AlAs), Galliumphosphid (GaP), Indiumarsenid (InAs) und Indiumphosphid (InP) bzw. aus einem Drei- oder Vierelementematerial besteht, das das Zweielementematerial enthält.</p> |
