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<p>Verfahren zur spannungsarmen, mechanischen Verbindung eines Halbleiterbauelements (100BE) mit einem Substrat (100Sub), wobei zumindest eines aus dem Halbleiterbauelement (100BE) und dem Substrat (100Sub) eine Verbindungsstruktur (102) mit zumindest drei symmetrisch zueinander angeordneten Verbindungselementen (104_1 bis 104_n) aufweist, und wobei das andere aus dem Halbleiterbauelement (100BE) und dem Substrat (100Sub) eine Verbindungsgegenstruktur (108) mit zumindest einem Verbindungsgegenelement (106_1 bis 106_m) aufweist, wobei die Verbindungsstruktur (102) und die Verbindungsgegenstruktur (108) Metalle oder Werkstoffe aufweisen, die sich unter Einwirkung von Ultraschall verbinden lassen, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Aufnehmen des Verbindungsgegenelements (106_1 bis 106_m) der Verbindungsgegenstruktur (108) zwischen den zumindest drei symmetrisch zueinander angeordneten Verbindungselementen (104_1 bis 104_n) der Verbindungsstruktur (102), so dass bei der Aufnahme der Verbindungsgegenstruktur (108) ein Linienkontakt oder Flächenkontakt zwischen der Verbindungsstruktur (102) und der Verbindungsgegenstruktur (108) entsteht; und Verbinden der Verbindungsstruktur (102) und der Verbindungsgegenstruktur (108) unter Einwirken von Ultraschall, um die Formschlüssigkeit zu erhöhen und die spannungsarme mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterbauelement (100BE) und dem Substrat (100Sub) zu erhalten.</p> |
