Verfahren und Struktur für ein verbessertes Ausfüllen von Lücken

摘要

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur bereit. Das Verfahren enthält Folgendes: Bereitstellen eines Substrats, das mehrere Rippenstrukturen auf dem Substrat enthält; Aufbeschichten einer ersten Lösung auf das Substrat, um eine erste dielektrische Schicht zu bilden; und Aufbeschichten einer zweiten Lösung auf die erste dielektrische Schicht, um eine zweite dielektrische Schicht zu bilden, um die Rippenstrukturen zu bedecken. Die erste Lösung hat eine erste Viskosität. Die zweite Lösung hat eine zweite Viskosität. In einigen Ausführungsformen ist die zweite Viskosität größer als die erste Viskosität.