| 摘要 |
<p>Solarzelle (10) mit einem photoelektrischen Wandlungselement, das gebildet ist durch ebenflächiges Abscheiden auf einem n-Typ-Einkristall-Si-Susbtrat (12) von einer n-Schicht (22), die eine amorphe n-Typ Halbleiterschicht ist, und einer p-Schicht (28), die eine amorphe p-Typ-Halbleiterschicht ist, einer transparenten leitfähigen Dünnschicht (30), die auf der n-Schicht (22) und der p-Schicht (28) ausgebildet ist, und einer Elektrodenschicht (36), die auf der transparenten leitfähigen Dünnschicht (30) ausgebildet ist. Die Dichte der transparenten leitfähigen Dünnschicht (30), die sich auf der Seite mit der n-Schicht (22) und der p-Schicht (28) befindet, ist kleiner als die auf der Seite mit der Elektrodenschicht (36).</p> |
