发明名称 Vorrichtung und Verfahren zur Vebesserung des Cpk-Wertes bei der Fertigung von CMOS Fotodedektoren für die schnelle Lichtlaufzeitmessung
摘要 <p>Das erfindungsgemäße Verfahren betrifft eine Methode zur Verminderung der Fertigungsfehler bei einem lichtlaufzeitbasierenden Messsystem. Bei einem System, das das erfindungsgemäße Verfahren ausführt erzeugt ein Fotodetektor Ladungsträger beim Auftreffen eines durch ein Objekt reflektierten Laser-Pulses auf denselben. Dabei werden die Ladungsträger in drei Integratoren gesammelt und zwar in einem ersten Integrator bis zu einem Zeitpunkt, der nach dem Beginn des Wiedereintreffens des reflektierten Laserpulses liegt und vor dem Zeitpunkt des Eintreffens des Endes des reflektierten Laser-Pulses. In einem zweiten Integrator werden die Ladungsträger beispielsweise ab diesem Zeitpunkt gesammelt und bis zu einem Zeitpunkt gesammelt, der nach dem Zeitpunkt des Eintreffens des Endes des reflektierten Pulses liegt. Während eines dritten Zeitraums werden die Ladungsträger gesammelt, die ausschließlich auf das Umgebungslicht zurückzuführen sind. Durch insbesondere zyklisches Vertauschen der Integratoren wird eine Datenbasis geschaffen, die zur Schätzung des realen Wertes verwendet wird. Hierdurch kann der jeweilige Fertigungsfehler geschätzt werden. Die Fehler der Integratoren werden somit ermittelt und können beim Ergebnis berücksichtigt werden.</p>
申请公布号 DE102014007466(B3) 申请公布日期 2015.08.06
申请号 DE20141007466 申请日期 2014.05.19
申请人 ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 TEN HAVE, ARND
分类号 G01S17/10;G01S7/483;G01S7/493;G01S17/89;H01L27/146 主分类号 G01S17/10
代理机构 代理人
主权项
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