| 摘要 |
本発明は、基板に対して熱処理を行う基板処理装置及び方法に係り、基板の温度を低温下でも正確に測定することのできる基板処理装置及び方法に関する。本発明の実施形態は、基板処理空間を有する工程チャンバと、輻射エネルギーを発生させる複数の加熱ランプを内部に収納した加熱ハウジングと、前記加熱ハウジングと工程チャンバとの間において工程チャンバの気密を維持させ、前記輻射エネルギーが基板に伝わるように透過させるウィンドウと、前記工程チャンバ内の基板から発生される波長を測定して基板測定エネルギーに変換する第１のパイロメータと、前記ウィンドウから発生される波長を測定してウィンドウ測定エネルギーに変換する第２のパイロメータと、前記基板測定エネルギーでウィンドウ測定エネルギーを補償処理して基板自体の温度である基板自体温度を算出し、算出した基板自体温度を用いて前記加熱ランプを制御する加熱制御器と、を備える。【選択図】図４ |
