| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Verwaltung eines Flashspeichers (FLS) für ein Computersystem (CS) mit mehreren Flashchips (FC), die in eine Vielzahl von separat löschbaren physikalischen Speicherblöcken gegliedert sind und diese Speicherblöcke eine begrenzte maximale Löschhäufigkeit besitzen, und die Speicherblöcke in beschreibbare Pages gegliedert sind, die wiederum in adressierbare Subpages unterteilt sind, und die Subpages von einem Computersystem über logische Sektoradressen (LBA) angesprochen werden, die über eine Adressumsetzungsstruktur in physikalische Subpageadressen (PBA) umgesetzt werden, wobei in dem Flashspeicher zwei Bereiche mit unterschiedlichen Typen von Flashchips vorhanden sind, und der erste Bereich (Bl) Single-Level-Flashchips SLC mit einer sehr großen maximalen Löschhäufigkeit enthält und der zweite Bereich (B2) Multi-Level-Flashchips MLC mit einer niedrigeren maximalen Löschhäufigkeit enthält und für jeden Speicherblock die Anzahl der erfolgten Löschungen in einem Löschzähler (EC) gezählt wird, und beim Beschreiben des Flashspeichers die Adressumsetzung der logischen Sektoradressen (LBA) in physikalische Subpageadressen (PBA) so erfolgt, dass die Sektoren in Subpages der Speicherblöcke des ersten Bereiches (Bl) beschrieben werden, und wobei wenn so viele Schreiboperation im ersten Bereich (B1) erfolgt sind, dass nun ein oberer Schwellwert (SS,o) für einen Füllgrad (FS) an geschriebenen Speicherblöcken im ersten Bereich (B1) erreicht ist, im Zuge einer Garbagecollection im ersten Bereich (B1) ein geschriebener Speicherblock mit einem niedrigen Löschzähler gesucht wird, dessen gültige Subpages in einen Speicherblock des zweiten Bereiches (B2) übertragen werden, die Adresszuordnungen für die übertragenen Subpages aktualisiert werden, und der Speicherblock des ersten Bereiches gelöscht und als Pufferblock für weitere Schreibvorgänge bereit gestellt wird</p> |
