Halbleiterbauelement mit Randbereich, in dem eine Zone aus porösem Material ausgebildet ist und Verfahren zu dessen Herstellung und Halbleiterscheibe

摘要

Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (10), der einen Aktivbereich (11) in dem Halbleiterkörper (10) und einen den Aktivbereich (11) umgebenden Randbereich (12) in dem Halbleiterkörper (10) aufweist, wobei sich der Randbereich (12) von dem Aktivbereich (11) bis zu einer Kante (13) des Halbleiterkörpers (10) erstreckt und wobei in dem Randbereich (12) eine Zone (14) aus porösem Silizium ausgebildet ist, bei dem das poröse Silizium der Zone (14) eine Porositätεaufweist, wobei gilt: 0,3 <ε< 0,9, wodurch das Eindringen von Kristalldefekten aus dem Randbereich (12) und/oder das Eindringen von Schwermetallen in den Aktivbereich (11) verhindert wird.