沟槽的刻蚀方法

摘要

一种沟槽的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上依次有刻蚀停止层和第一介质层；形成光刻胶掩模，进行第一刻蚀，在第一介质层中形成具有第一宽度的开口；进行第一沉积，形成第二介质层；对第二介质层进行第二刻蚀，去除第一介质层上以及开口底壁和侧壁上的第二介质层，保留具有第一厚度的所述开口侧壁上的部分；进行第二沉积，沉积第三介质层，第三介质层至少填满开口；平坦化第三介质层至露出所述第二介质层；进行第三刻蚀，去除第二介质层，以在第一介质层和所述第三介质层之间形成缝隙；进行第四刻蚀刻蚀第一介质和所述第三介质，以拓宽缝隙而形成沟槽。本发明可以利用现有的曝光设备实现较先进的工艺尺寸要求。

主权项

一种沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有刻蚀停止层和第一介质层；在第一介质层上形成光刻胶掩模，进行第一刻蚀，在第一介质层中形成具有第一宽度的开口，而后去除残余的光刻胶掩模；进行第一沉积，在第一介质层上以及开口的侧壁与底壁上形成第二介质层；对所述第二介质层进行第二刻蚀，去除第一介质层上以及开口底壁上的第二介质层保留具有第一厚度的所述开口侧壁上的第二介质层；进行第二沉积，形成第三介质层，所述第三介质层至少填满所述开口；平坦化所述第三介质层至露出所述第二介质层；进行第三刻蚀，去除所述第二介质层，以在所述第一介质层和所述第三介质层之间形成缝隙；进行第四刻蚀，刻蚀所述第一介质层和所述第三介质层，以拓宽所述缝隙而形成沟槽。