半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。改进了半导体器件的特性。该半导体器件被构造成在形成在衬底上方的n+层、n型层、p型层、沟道层和阻挡层之中提供穿透阻挡层并且到达沟道层的中间部分的沟槽、布置在通过栅绝缘膜的凹槽内的栅电极、形成在栅电极两侧中的阻挡层上方的源电极和漏电极。n型层和漏电极通过到达n+层的连接部彼此电连接。p型层和源电极通过到达p型层的连接部彼此电连接。包括p型层和n型层的二极管设置在源电极和漏电极之间，从而防止因雪崩击穿而造成元件破裂。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一氮化物半导体层，其在衬底上制成；第二氮化物半导体层，其形成在所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，其形成在所述第二氮化物半导体层上；第四氮化物半导体层，其形成在所述第三氮化物半导体层上；沟槽，其穿透所述第四氮化物半导体层，并且到达所述第三氮化物半导体层的中间部分；栅电极，其通过栅绝缘膜布置在所述沟槽内；第一电极和第二电极，其形成在所述栅电极两侧上的所述第四氮化物半导体层上方；第一连接部，其将所述第一电极连接到所述第一氮化物半导体层；第二连接部，其将所述第二电极连接到所述第二氮化物半导体层；以及绝缘膜，其形成在所述第一连接部和所述第二氮化物半导体层之间，其中，所述第四氮化物半导体层的电子亲和力小于所述第三氮化物半导体层的电子亲和力，其中，所述第一氮化物半导体层包含第一导电类型的杂质，以及其中，所述第二氮化物半导体层包含第二导电类型的杂质，所述第二导电类型是与所述第一导电类型相反的导电类型。