垂直氮化镓肖特基二极管

摘要

本发明涉及一种垂直氮化镓肖特基二极管，包括：由堆叠覆盖的导体或半导体衬底，该堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低的掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；在第二GaN层的与衬底相对的第一表面上的肖特基接触；以及将第一GaN层的与衬底相对的第一表面连接至衬底的第一金属层，所述金属层位于开口中，开口位于堆叠的未由肖特基接触覆盖的区域中，该开口从第二层的第一表面延伸至衬底。

主权项

一种肖特基二极管(400)，包括：半导体衬底(401)，由堆叠覆盖，所述堆叠从所述衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层(403)、第一N型掺杂GaN层(405)、以及具有比所述第一层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层(407)；肖特基接触(409)，在所述第二GaN层(407)的与所述衬底相对的第一表面上；第一金属层(411)，将所述第一GaN层(405)的与所述衬底相对的第一表面连接至所述衬底(401)，所述金属层(411)位于外围开口(410)中，所述外围开口(410)位于所述堆叠的未由所述肖特基接触(409)覆盖的区域中，该开口(410)从所述第二层(407)的所述第一表面延伸至所述衬底(401)；以及第二金属层(413)，覆盖与所述衬底(401)的第一表面相对的所述衬底(401)的第二表面。