| 摘要 |
본원은 메모리 유닛(4)을 제공하며, 이 메모리 유닛은, 제1 및 제2 스토리지 액세스 노드(24, 26)를 각각 갖는 한 쌍의 백투백 인버터(12a, 12b 및 14a, 14b)를 포함하는 스토리지 소자(6); 상기 한 쌍의 백투백 인버터(12a, 12b 및 14a, 14b)가 양 단에 접속되는 제1 및 제2 전압 라인(VSS, VDD)(16a, 16b); 상기 제1 스토리지 노드(24)에 접속되는 제1 액세스 트랜지스터(18a); 상기 제2 스토리지 노드(26)에 접속되는 제2 액세스 트랜지스터(18b); 상기 제1 액세스 트랜지스터(18a) 상의 게이트(18g1)와 제2 액세스 트랜지스터(18b) 상의 게이트(18g2)에 접속되는 기록 워드 라인(22); 상기 노드(24)를 제어하도록 동작가능하게 접속되는 제1 비트 라인(28); 상기 노드(26)를 제어하도록 동작가능하게 접속되는 제2 비트 라인(30)을 포함하고, 제1 및 제2 비트 라인(28, 30) 사이의 데이터 종속 전도성 경로를 제공한다. |
