双色紫光红外光硅基复合光电探测器的制作方法

摘要

本发明公开了一种双色紫光和近红外硅基复合光电探测器的制作方法。其特点在于：在高阻n型硅单晶片上，氧化、光刻后用硼扩散等技术制作近红外光电探测器的p⁺n结，再在其表进行高阻p型的硅外延。利用磷离子浅结注入制作紫光探测器。用等离子刻蚀掉p型高阻层，以便形成公共电极。如此，在硅基上制作的n⁺-p-p⁺-n-n⁺结构，实际就是两个同心带p⁺的两个探测器件，它们均在反偏置电压下工作，对来自同一光束的紫光和近红外的双色光分别吸收，并在各自输出回路的负载上输出光信号电压。这对有较大烟雾、水气等的场景，可以通过一个简单光学系统，实现对特定的活动或固定目标，更加准确的探测、制导和跟踪。

主权项

一种双色紫光和近红外光硅基复合光电探测器的制作方法，其特征在于：采用高阻N型硅衬底时，按如下方法制作双色紫光和近红外光硅基复合光电探测器：在高阻N型硅衬底的抛光面上，定域高硼扩散，形成近红外光电探测器PN结；在其表面上经高阻硅外延后，再在芯片背面进行高磷扩散，再在芯片正面进行离子注入，形成紫光探测器n⁺p结和近红外探测器的衬底接触的高低结和紫光探测器的PN结，构成n⁺‑p‑p⁺‑n‑n⁺的结构，分别构成两个pin光电探测器，它们均加上反向偏置后，接收来自同一光束的双色光信号时，将在两个探测器的负载电阻上分别输出该两种光的信号电压；采用P型硅衬底时，按如下方法制作双色紫光和近红外光硅基复合光电探测器：在高阻P型硅衬底的抛光面上，定域高磷扩散，形成近红外光电探测器PN结；在其表面上经高阻硅外延后，再在芯片背面进行高硼扩散，再在芯片正面进行离子注入，形成紫光探测器p⁺n结和近红外探测器的衬底接触的高低结和紫光探测器的PN结，构成p⁺‑n‑n⁺‑p‑p⁺的结构，分别构成两个pin光电探测器，它们均加上反向偏置后，接收来自同一光束的双色光信号时，将在两个探测器的负载电阻上分别输出该两种光的信号电压。