用于高性能互连的结构和方法

摘要

本发明提供了一种集成电路结构。该集成电路结构包括：衬底，具有形成在其中的IC器件；第一电介质材料层，被设置在衬底上并具有形成在其中的第一沟槽；以及第一合成互连部件，被设置在第一沟槽中并与IC器件电连接。该第一合成互连部件包括：第一阻挡层，被设置在第一沟槽的侧壁上；第一金属层，被设置在第一阻挡层上；以及第一石墨烯层，被设置在金属层上。本发明还提供了一种用于高性能互连的结构和方法。

主权项

一种集成电路结构，包括：衬底，具有形成在其中的集成电路器件；第一电介质材料层，被设置在所述衬底上并具有形成在其中的第一沟槽；以及第一合成互连部件，被设置在所述第一沟槽中并且与所述集成电路器件电连接，其中，所述第一合成互连部件包括：第一阻挡层，被设置在所述第一沟槽的侧壁上；第一金属层，被设置在所述第一阻挡层上；以及第一石墨烯层，被设置在所述金属层上，第二电介质材料层，被夹置在所述第一电介质材料层和所述衬底之间，具有形成在所述第二电介质材料层中的第二沟槽；以及第二合成互连部件，形成在所述第二沟槽中并与所述第一合成互连部件相接触，其中，所述第二合成互连部件包括：第二阻挡层，被设置在所述第二沟槽的侧壁上；至少一个碳纳米管，被设置在所述第二沟槽中；以及金属材料，被填充在所述第二沟槽中并被所述第二阻挡层围绕，使得所述至少一个碳纳米管嵌入在所述金属材料中，所述至少一个碳纳米管为两个以上时具有相同的长度且全部在彼此平齐的相应的端部处接触所述第一合成互连部件。