用于相变存储器的相变材料

摘要

本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al_100-x-ySb_xTe_y的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Sb-Te系列相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Sb-Te基相变存储器在循环擦写10⁷次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。本发明的富Sb的Al-Sb-Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相，保障了该材料反复相变之后的均匀性，有益于提高基于该材料的相变存储器的循环操作寿命。

主权项

一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于：所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al_100‑x‑y Sb_xTe_y的材料，其中，40≤x＜100，y＜60；所述Al_100‑x‑y Sb_xTe_y材料中，Sb与Te的原子数之比大于2:3；所述Al_100‑x‑y Sb_xTe_y材料为富Sb的Al‑Sb‑Te材料；所述富Sb的Al‑Sb‑Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相；所述Al_100‑x‑y Sb_xTe_y材料通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、溶胶凝胶、或金属有机物沉积手段制备。