| 发明名称 | 鳍式晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式晶体管及其形成的方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第二部分和位于第二部分上的第一部分；在所述第一部分的部分区域形成锗硅，所述锗硅的厚度与所述第一部分的厚度相同；在第一部分上形成绝缘层；提供基底，将所述基底与所述绝缘层结合；去除所述第二部分；刻蚀所述锗硅形成第一鳍部，刻蚀所述第一部分形成第二鳍部；在所述第一鳍部上形成第一栅极结构，在所述第二鳍部上形成第二栅极结构。本技术方案可以在SOI结构上同时形成PMOS晶体管和NMOS晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103065963B | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201110318996.7 | 申请日期 | 2011.10.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种形成鳍式晶体管的方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第二部分和位于第二部分上的第一部分；在所述第一部分的部分区域形成锗硅，所述锗硅的厚度与所述第一部分的厚度相同；形成锗硅后，在所述第一部分和锗硅上形成绝缘层；提供基底，将所述基底与所述绝缘层结合；去除所述第二部分；刻蚀所述锗硅形成第一鳍部，刻蚀所述第一部分形成第二鳍部；在所述第一鳍部上形成第一栅极结构，在所述第二鳍部上形成第二栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||