发明名称 |
一种制备氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制备氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜的方法。本发明方法包括如下步骤:S1. 以高纯锌作为靶材,在靶面上放置高纯铝片,所述靶材上方放置有衬底,且衬底与靶材间的距离可调,通入高纯氮气进行射频磁控反应溅射,制备得到含铝氮化锌薄膜作为前驱体;S2. 前驱体制备完成后,抽真空,通入高纯氧气对前驱体薄膜进行原位低压氧化,制备得到氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜。本发明在优化了前驱体性能的前提下,提高了薄膜中活性氮的含量,从而增加空穴载流子的浓度和迁移率,降低氧化锌薄膜电阻率,制备得到的氮化锌薄膜电阻率低至10.84W×cm,载流子浓度达到+4.65×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>,光学带隙在3.27eV,薄膜结晶状态和光学性质良好。 |
申请公布号 |
CN104818452A |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201510186453.2 |
申请日期 |
2015.04.20 |
申请人 |
岭南师范学院 |
发明人 |
张军;邵乐喜;邹长伟 |
分类号 |
C23C14/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/00(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
张月光;林伟斌 |
主权项 |
一种制备氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1. 制备前驱体:以高纯锌作为靶材,在靶面上放置高纯铝片,所述靶材上方放置有衬底,且衬底与靶材间的距离可调,抽真空,然后通入高纯氮气,在衬底温度100~300℃,射频源输入功率80~200W,真空度0.5~1.5Pa的条件下进行射频磁控反应溅射,反应30~60min后将制备得到含铝氮化锌薄膜作为前驱体;S2. 制备p型氧化锌薄膜:前驱体制备完成后,抽真空,通入高纯氧气对前驱体薄膜进行原位低压氧化,制备得到氮铝共掺杂p型氧化锌薄膜。 |
地址 |
524048 广东省湛江市赤坎区寸金路29号 |