| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明得到一种半导体装置的制造方法，其能够减少由来自切割区域侧的削片、裂纹引起的耐压劣化不良，能够无需在在线检查之后，将测定用电极蚀刻去除。将半导体装置(2)的P型基极层(5)和在线检查用监视器(15)的P型层(16)同时地形成。在P型基极层(5)以及P型层(16)上同时形成铝层(11)。在P型层(16)上，将铝层(11)的至少一部分去除。在切割半导体晶片(1)时，在P型层(16)上，利用切割刀片(20)将去除了铝层11的部分切断。 | ||
| 申请公布号 | CN104821292A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510050184.7 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 吉田拓弥;高野和丰 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：形成半导体晶片的工序，该半导体晶片具有：多个半导体装置，它们隔着切割区域而配置；以及在线检查用监视器，其配置在所述切割区域内；在形成所述半导体晶片之后，利用所述在线检查用监视器进行所述半导体装置的在线检查的工序；以及在所述在线检查之后，沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行切割，将所述多个半导体装置逐个地分离的工序，形成所述半导体晶片的工序具有：将所述半导体装置的第1扩散层和所述在线检查用监视器的第2扩散层同时地形成的工序；在所述第1扩散层及第2扩散层上同时地形成金属层的工序；以及将所述第2扩散层上的所述金属层的至少一部分去除的工序，在切割所述半导体晶片时，在所述第2扩散层上，利用切割刀片将去除了所述金属层的部分切断。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||