发明名称 |
放射线检测装置 |
摘要 |
本发明为一种暗电流小、耐久性优良且余像少的放射线检测装置(10),其具有层叠结构,所述层叠结构包含第一电极(34)、与第一电极相对地配置的第二电极(49)、配置在第一电极与第二电极之间且含有非晶硒的硒层(48)、与硒层邻接地配置在第一电极与硒层之间且含有电子亲和能为3.7eV以下的空穴传输材料的第一阻挡有机层(38)、和与硒层邻接地配置在第二电极与硒层之间且含有电离电势为5.9eV以上的电子传输材料的第二阻挡有机层(37)。 |
申请公布号 |
CN104823280A |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201380062142.4 |
申请日期 |
2013.12.05 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
山下清司;伊势俊大 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/0248(2006.01)I;H04N5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
满凤;金龙河 |
主权项 |
一种放射线检测装置,其具有层叠结构,所述层叠结构包含:第一电极、与所述第一电极相对地配置的第二电极、配置在所述第一电极与所述第二电极之间且含有非晶硒的硒层、与所述硒层邻接地配置在所述第一电极与所述硒层之间且含有电子亲和能为3.7eV以下的空穴传输材料的第一阻挡有机层、和与所述硒层邻接地配置在所述第二电极与所述硒层之间且含有电离电势为5.9eV以上的电子传输材料的第二阻挡有机层。 |
地址 |
日本东京 |