| 发明名称 | 微型硅光电二极管 | ||
| 摘要 | 微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN<sup>+</sup>结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的N型硅层为圆角正方体，其特征是，所述低掺杂的正方体P型硅晶片的外周设有高掺杂的P型硅环，高掺杂的P型硅环和高掺杂的N型硅层之间隔着低掺杂P型硅层， N型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，低掺杂P型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。本实用新型体积小，灵敏度高，反向击穿电压高于30V，暗电流小于10nA。 | ||
| 申请公布号 | CN204538049U | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201520177371.7 | 申请日期 | 2015.03.26 |
| 申请人 | 傲迪特半导体（南京）有限公司 | 发明人 | 崔峰敏 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人 | 樊文红 |
| 主权项 | 微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN<sup>+</sup>结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的N型硅层为圆角正方体，其特征是，所述低掺杂的正方体P型硅晶片的外周设有高掺杂的P型硅环，高掺杂的P型硅环和高掺杂的N型硅层之间隔着低掺杂P型硅层， N型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，低掺杂P型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。 | ||
| 地址 | 210034 江苏省南京市栖霞经济开发区润华路3号 | ||