发明名称 |
晶片级封装 |
摘要 |
本发明公开了晶片级封装。在一个实施例中,晶片级封装包括形成在半导体基底上的重布图案和设置在重布图案上的第一包封剂图案。第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔。所述封装还包括形成在重布图案的暴露部分上的外部连接端子。通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁可以分开间隙距离。该间隙距离可以向包封剂图案的上表面增加。 |
申请公布号 |
CN102237330B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201110128509.0 |
申请日期 |
2011.05.09 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
朴相昱;金南锡;白承德 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;王艳娇 |
主权项 |
一种晶片级封装,所述晶片级封装包括:重布图案,形成在晶片基底上;第一包封剂图案,设置在重布图案上,第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔;外部连接端子,形成在重布图案的暴露部分上,其中,通孔具有侧壁,通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁分开间隙距离以限定在通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁之间的间隙,所述间隙距离向第一包封剂图案的上表面增加;第二包封剂图案,填充所述间隙,第二包封剂图案包括透水性比第一包封剂图案的材料的透水性大的材料。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |