发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
目的是提供一种安装有存储器的半导体器件,该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器,可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中,该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。 |
申请公布号 |
CN102646681B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201210109887.9 |
申请日期 |
2007.09.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
德永肇 |
分类号 |
H01L27/112(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/112(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:驱动器电路,包括:包括第一电极、硅膜和在所述硅膜上的第二电极的存储元件;包括栅电极、半导体区域、源电极和漏电极的晶体管;和在所述晶体管和所述第一电极上的层间绝缘膜,其中,形成所述硅膜以与所述层间绝缘膜的开口重叠并达到所述第一电极,其中,所述第一电极被配置为与所述硅膜中的硅进行反应,以形成第一硅化物,其中,所述第二电极被配置为与所述硅膜中的硅进行反应,以形成第二硅化物,且其中,所述第一硅化物和所述第二硅化物以互相不同的金属元素形成。 |
地址 |
日本神奈川县 |