| 发明名称 | 发光二极管-半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管-半导体元件，其具有n型掺杂的衬底层、n型掺杂的第一外套层、主动层、p型掺杂的第二外套层、p型掺杂的电流扩张层、p型掺杂的接触层，其中，所述外套层设置在所述衬底层上，其中，所述主动层包括发光层并且设置在所述第一外套层上，其中，所述第二外套层设置在所述主动层上，其中，所述电流扩张层设置在所述第二外套层上，其中，所述p型掺杂的接触层设置在所述电流扩张层上，其中，所述p型掺杂的接触层由含铝层组成并且具有碳作为掺杂物。 | ||
| 申请公布号 | CN104821353A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510011692.4 | 申请日期 | 2015.01.09 |
| 申请人 | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 | 发明人 | D·富尔曼;F·敦泽尔 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 一种发光二极管‑半导体元件(LEDA)，其具有：n型掺杂的衬底层(N‑SUB)，n型掺杂的第一外套层(N‑MAN)，其中，所述外套层(N‑MAN)设置在所述衬底层(SUB)上，主动层(AKT)，其中，所述主动层(AKT)包括发光层(AKT)并且设置在所述第一外套层(N‑MAN)上，p型掺杂的第二外套层(P‑MAN)，其中，所述第二外套层(P‑MAN)设置在所述主动层上，p型掺杂的电流扩张层，其中，所述电流扩张层(P‑VERT)设置在所述第二外套层(P‑MAN)上，p型掺杂的接触层(P‑KON)，其中，所述p型掺杂的接触层(P‑KON)设置在所述电流扩张层(P‑VERT)上，所述p型掺杂的接触层(P‑KON)由含铝层组成并且具有碳作为掺杂物，其特征在于，在所述接触层(P‑KON)中铝浓度比在所述电流扩张层(P‑VERT)中更大，并且设置在所述衬底层(SUB)上的外套层(N‑MAN，P‑MAN)和所述电流扩张层(P‑VERT)分别包括AlGaAs化合物。 | ||
| 地址 | 德国海尔伯隆 | ||