发明名称 VERTICAL SOLID-STATE TRANSDUCERS AND HIGH VOLTAGE SOLID-STATE TRANSDUCERS HAVING BURIED CONTACTS AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS
摘要 매립 콘택트를 갖는 솔리드-스테이트 트랜스듀서("SST") 및 수직 고전압 SST가 본 명세서에 개시된다. 특정 실시예에 따르는 SST 다이는 트랜스듀서 구조물의 제 1 면에 제 1 반도체 물질, 및 트랜스듀서 구조물의 제 2 면에 제 2 반도체 물질을 갖는 트랜스듀서 구조물을 포함할 수 있다. SST는 제 1 면에 위치하며 제 1 반도체 물질에 전기적으로 연결된 복수의 제 1 콘택트, 및 제 1 면에서부터 제 2 반도체 물질로 뻗어 있으며 제 2 반도체 물질에 전기적으로 연결된 복수의 제 2 콘택트를 더 포함할 수 있다. 인터커넥트가 적어도 하나의 제 1 콘택트 및 하나의 제 2 콘택트 사이에 형성될 수 있다. 상기 인터커넥트는 복수의 패키지 물질로 덮일 수 있다.
申请公布号 KR20150090231(A) 申请公布日期 2015.08.05
申请号 KR20157017349 申请日期 2013.12.04
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 ODNOBLYUDOV VLADIMIR;SCHUBERT MARTIN F.
分类号 H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/62 主分类号 H01L27/15
代理机构 代理人
主权项
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