发明名称 THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
摘要 <p>본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선의 끝부분에 형성되어 있는 게이트 패드, 상기 게이트 패드에 인접하여 형성되어 있으며, 상기 게이트 패드와 동일한 층에 형성되어 있는 게이트 식별 부재, 상기 게이트선 및 게이트 식별 부재를 덮는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 게이트 절연막 및 데이터선 위에 형성되어 있는 보호막, 상기 보호막 위에 형성되어 있는 게이트 접촉 보조 부재, 상기 게이트 접촉 보조 부재와 접촉하는 게이트 구동칩을 포함하고, 상기 게이트 식별 부재는 상기 게이트 접촉 보조 부재와 중첩하고 있는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 게이트 패드와 동일한 층에 동일한 물질로 게이트 식별 부재를 게이트 접촉 보조 부재와 중첩하여 형성함으로써 게이트 식별 부재에 단차가 없어 게이트 패드와 게이트 구동칩을 서로 부착하는 압착 공정에서 불량이 발생하지 않는다.</p>
申请公布号 KR101542205(B1) 申请公布日期 2015.08.05
申请号 KR20090098339 申请日期 2009.10.15
申请人 发明人
分类号 G02F1/1333;H01L29/786 主分类号 G02F1/1333
代理机构 代理人
主权项
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