| 发明名称 | 闪存单元及其浮栅的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种闪存单元及其浮栅的形成方法，所述闪存单元浮栅的形成方法包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成掺有第一型离子的浮栅层；在所述掺有第一型离子的浮栅层上形成图形化的第一光刻胶；干法刻蚀所述图形化的第一光刻胶，所述干法刻蚀后的第一光刻胶的图形的尺寸小于所述干法刻蚀前的第一光刻胶的图形的尺寸；以所述干法刻蚀后的第一光刻胶为掩膜对所述掺有第一型离子的浮栅层进行第二型离子注入形成具有双掺杂结构的浮栅层，所述第一型离子与所述第二型离子反型。所述闪存单元浮栅及闪存单元的形成方法，可以形成关键尺寸小且具有双掺杂浮栅结构的闪存单元，且所述闪存单元编程效率高，数据保持能力强，工艺成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102693905B | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201110069308.8 | 申请日期 | 2011.03.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 曾贤成;李绍彬 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种闪存单元浮栅的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成掺有第一型离子的浮栅层；在所述掺有第一型离子的浮栅层上形成图形化的第一光刻胶；干法刻蚀所述图形化的第一光刻胶，所述干法刻蚀后的第一光刻胶的图形的宽度为所述干法刻蚀前的第一光刻胶的图形的宽度的45～65％，所述干法刻蚀的气体为CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>、O<sub>2</sub>和HBr的混合气体，所述CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>的流量为2～50sccm，所述O<sub>2</sub>的流量为2～100sccm，所述HBr的流量为10～100sccm；以所述干法刻蚀后的第一光刻胶为掩膜对所述掺有第一型离子的浮栅层进行第二型离子注入形成具有双掺杂结构的浮栅层，所述第一型离子与所述第二型离子反型。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||