发明名称 |
导电插塞及形成方法 |
摘要 |
一种导电插塞,包括:半导体衬底,位于所述半导体衬底表面的栅极结构,贯穿所述栅极结构且与半导体衬底平行的若干纳米线有源区,位于所述半导体衬底表面且覆盖栅极结构和纳米线有源区的介质层,所述介质层填充满纳米线有源区之间的间隔空间;位于所述栅极结构两侧的凹槽,所述凹槽的侧壁具有倾斜角度,且所述凹槽使所述纳米线有源区具有刻蚀断面;填充满所述凹槽的介质材料;位于所述介质材料内的导电插塞,各导电插塞与对应的纳米线有源区相连。由于不同高度的所述纳米线有源区的刻蚀断面呈阶梯状排列,每根纳米线有源区两端与金属互连层之间都有导电插塞电学连接,可以对每根纳米线有源区两端的电压、电流进行控制,有利于提高器件性能。 |
申请公布号 |
CN103117266B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201110366073.9 |
申请日期 |
2011.11.17 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
何其旸 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种导电插塞,其特征在于,包括:半导体衬底,位于所述半导体衬底表面的栅极结构,贯穿所述栅极结构且与半导体衬底平行的若干纳米线有源区,位于所述半导体衬底表面且覆盖栅极结构和纳米线有源区的介质层,所述介质层填充满纳米线有源区之间的间隔空间;位于所述栅极结构两侧的凹槽,所述凹槽的侧壁具有倾斜角度,且所述凹槽使所述纳米线有源区具有刻蚀断面;位于所述凹槽表面的刻蚀阻挡层;填充满所述凹槽的介质材料;位于所述介质材料内的导电插塞,各导电插塞与对应的纳米线有源区相连。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |