发明名称 具有环形透光光圈的光刻装置、通光单元及光刻方法
摘要 本发明提供一种具有环形透光光圈的光刻装置、通光单元及光刻方法,该光刻装置包括:光源、至少具有一个透光光圈的通光单元,聚光透镜、光掩膜及投影透镜,从上至下依次排布。其中,上述通光单元中的至少一个透光光圈内中至少包含一个灰度区,聚光透镜聚集光源光线通过具有衍射功能的光掩膜、投影透镜将衍射光聚焦在位于其下部的硅衬底上。因此,本发明显著提高了不同尺寸光刻图形的综合分辨率和工艺窗口,平衡了不同尺寸光刻图形的线宽尺寸,同时避免了多次曝光产生的工艺成本增加和产出量降低。
申请公布号 CN103309173B 申请公布日期 2015.08.05
申请号 CN201310211954.2 申请日期 2013.05.31
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 毛智彪;董献国
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种具有环形透光光圈的光刻装置,用于通过光刻曝光方式在硅衬底上形成所需的图形,包括:光源;至少具有一个环形透光光圈的通光单元;聚光透镜,位于所述通光单元之下,用于聚集穿过所述通光单元中所述透光光圈的光源光线;光掩膜,位于所述聚光透镜之下,用于衍射穿过所述聚光透镜的光线;投影透镜,位于所述光掩膜之下,用于将穿过所述光掩膜的衍射光聚焦在位于其下部的所述硅衬底上;其特征在于,所述通光单元中的至少一个环形透光光圈内至少包含一个灰度区,以根据所述硅衬底上光刻图形尺寸排布需求选取所述环形透光光圈中灰度区域数量和排布组合,从而调整所述光源经所述通光单元、聚光透镜、光掩膜和投影透镜入射至所述硅衬底上的光线曝光量。
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