一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长结构及方法

摘要

本发明提出一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长结构及方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN成核层、非故意掺杂高温GaN层和n型GaN层；在所述n型GaN层上采用InGaN/GaN界面中断生长技术生长多量子阱层；在所述多量子阱层上依次生长p型AlGaN层和p型GaN层。该方法的特征在于，在InGaN量子阱生长初期，周期性地通入/停止TMIn进入反应室，在增加In气相分压的同时，增加In扩散时间，更加有效地提高InGaN量子阱生长初期In组分，使得InGaN量子阱In组分更加均匀，InGaN/GaN界面更加陡峭，从而提高LED波长均匀性和量子阱发光效率。该方法无需进行流量调整，简单实用，可操作性强。

主权项

一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长结构及方法，采用MOCVD技术，高纯NH₃作为氮源，三甲基镓TMGa与三乙基镓TEGa作为镓源，三甲基铟TMIn作为铟源，三甲基铝TMAl作为铝源，硅烷SiH₄和二茂镁CP2Mg分别作为n型和p型掺杂剂。该方法包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长低温GaN成核层、非故意掺杂高温GaN层和n型GaN层；(2)在所述n型GaN层上采用InGaN/GaN界面中断生长技术生长多量子阱层；(3)在所述多量子阱层上依次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本方法的特征在于：在InGaN量子阱生长初期，周期性地通入/停止TMIn进入反应室，提高量子阱生长初期In组分，使得InGaN量子阱生长初期In组分与正常生长时In组分一致，减小pulling effect，提高波长均匀性，增加量子阱界面陡峭性，提高发光效率。