| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够抑制ON动作时的电流、发热的局部性的集中而使破坏耐性提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体基板，具有纵向元件；第1电极，设置于半导体基板的一方的面；第2电极，设置于半导体基板的另一方的面；第1导电部件，设置于第1电极的部的、与半导体基板相反一侧；以及第2导电部件，设置于第2电极的、与半导体基板相反一侧。另外，纵向元件的第1电极的部与第2电极之间的电阻低于与部邻接且未设置第1导电部件的第1电极的周边部与第2电极之间的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104821330A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201410303087.X | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 尾西一明 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金春实 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有纵向元件；第1电极，设置于所述半导体基板的一方的面；第2电极，设置于所述半导体基板的另一方的面；第1导电部件，设置于所述第1电极的中央部的与所述半导体基板相反一侧；以及第2导电部件，设置于所述第2电极的与所述半导体基板相反一侧，所述纵向元件的所述第1电极的中央部与所述第2电极之间的电阻低于与所述中央部邻接且未设置所述第1导电部件的所述第1电极的周边部与所述第2电极之间的电阻。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||