| 发明名称 | N型LDMOS器件及工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种N型LDMOS器件，在P型衬底上具有N型埋层，N型埋层之上为N型深阱；所述N型深阱中具有P阱，P阱中包含有重掺杂P型区以及所述LDMOS器件的源区，硅衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述N型深阱中还具有LDMOS器件的漏区，引线通过接触孔将重掺杂P型区、源区以及漏区引出；所述的P阱中的重掺杂P型区与源区之间以STI场氧隔离，LDMOS器件的漂移区中漏区两侧具有STI场氧，漂移区是以不同注入能量形成的不同深度的分层漂移区。本发明还公开了所述N型LDMOS器件的工艺方法，可以集成在BCD工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN104821334A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510107015.2 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 石晶;钱文生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种N型LDMOS器件，在P型衬底上具有N型埋层，埋层上为N型深阱；所述N型深阱中具有P阱，P阱中包含有重掺杂P型区以及所述LDMOS器件的源区，硅衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极；所述N型深阱中还具有LDMOS器件的漏区，引线通过接触孔将重掺杂P型区、源区以及漏区引出；其特征在于：所述的P阱中的重掺杂P型区与源区之间以STI场氧隔离，LDMOS器件的漂移区中漏区两侧具有STI场氧，漂移区是以不同注入能量形成的不同深度的分层漂移区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||