| 摘要 |
양극성 수직 전계 효과 트랜지스터(VFET)의 다양한 예가 제공된다. 일 예에서, 특히, 양극성 VFET는 게이트층, 전기적 침투성이며 천공되어 있는 소스층, 유전체층, 드레인층 및 반도체 채널층을 포함한다. 반도체 채널층은 소스층의 적어도 일부 및 유전체층의 적어도 일부와 접촉하며, 소스층 및 반도체 채널층은 게이트 전압 가변 전하 주입 장벽을 형성한다. 다른 예는 유전체 표면 처리층을 포함하는 양극성 수직 전계 효과 트랜지스터를 포함한다. 반도체 채널층은 소스층의 적어도 일부 및 유전체 표면 처리층의 적어도 일부와 접촉하며, 소스층 및 반도체 채널층은 게이트 전압 가변 전하 주입 장벽을 형성한다. |
