| 发明名称 | 自支撑三维器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种自支撑三维器件，包括：具有窗口的基底；自支撑的绝缘介质薄膜，该绝缘介质薄膜形成在基底上并覆盖窗口，并且该绝缘介质薄膜具有：在一延伸平面内延伸的主体部；和从主体部切出的至少一个悬空部，悬空部与主体部成局部连接并偏离出主体部的延伸平面；在每一悬空部上形成的器件单元，该器件单元具有预定图案。本实用新型在自支撑的绝缘介质薄膜制备出了具有三维结构且相互绝缘的微纳器件，避免了微纳器件在外加电磁场激发时各个单元之间存在短接的问题。此外，本实用新型的自支撑三维器件可以批量生产，从而得到具有相同或不同微纳米功能结构的自支撑三维器件阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN204529302U | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201520005423.2 | 申请日期 | 2015.01.05 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 刘哲;李俊杰;崔阿娟;李无瑕;顾长志 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;郭海彬 |
| 主权项 | 一种自支撑三维器件，其特征在于，包括：具有窗口的基底(50)；自支撑的绝缘介质薄膜(10)，所述绝缘介质薄膜(10)形成在所述基底(50)上并覆盖所述窗口，并且具有：在一延伸平面内延伸的主体部(12)；和从所述主体部(12)切出的至少一个悬空部(40)，所述悬空部(40)与所述主体部(12)成局部连接并偏离出所述主体部(12)的所述延伸平面；在每一所述悬空部(40)上形成的器件单元(30)，所述器件单元(30)具有预定图案。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||