一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法以及加热器

摘要

本发明公开了一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法，包括步骤：将原料硅投入晶体炉的坩埚内；加热器加热坩埚融化埚内的原料硅并保持熔体在熔融状态；将棒状籽晶浸入熔液中；通入惰性气体至熔体液面，控制炉内压力；一边旋转坩埚，一边提升相对坩埚反向旋转的棒状籽晶，得到圆柱形的单晶硅晶体，在拉晶过程中，控制沿着坩埚深度方向的加热量，使熔体自生长界面至坩埚底部的温度梯度减小；本发明还提供了一种实现本发明方法的加热器；本发明有效减小热对流，降低单晶硅中的微缺陷和有害杂质，制备得到低缺陷、超低氧、高少子寿命的单晶硅，成本较低且易于实现。

主权项

一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法，包括步骤：将原料硅投入晶体炉的坩埚内；加热器加热坩埚融化埚内的原料硅并保持熔体在熔融状态；将棒状籽晶浸入熔液中；通入惰性气体至熔体液面，控制炉内压力；一边旋转坩埚，一边提升相对坩埚反向旋转的棒状籽晶，得到圆柱形的单晶硅晶体；其特征在于，在拉晶过程中，控制沿着坩埚深度方向的加热量，使熔体自生长界面至坩埚底部的温度梯度减小。