| 摘要 |
<p>LED-Halbleiterbauelement mit einer n-dotierten Substratschicht, und einer ersten n-dotierten Mantelschicht, wobei die Mantelschicht auf der Substratschicht angeordnet ist, und einer aktiven Schicht, wobei die aktive Schicht eine lichtemittierende Schicht umfasst und auf der ersten Mantelschicht angeordnet ist, und einer zweiten p-dotierten Mantelschicht, wobei die zweite Mantelschicht auf der aktiven Schicht angeordnet ist, und einer p-dotierten Stromaufweitungsschicht, wobei die Stromaufweitungsschicht auf der zweiten Mantelschicht angeordnet ist, und einer p-dotierten Kontaktschicht, wobei die p-dotierte Kontaktschicht auf der Stromaufweitungsschicht angeordnet ist, wobei die p-dotierte Kontaktschicht aus einer aluminiumhaltigen Schicht besteht und als Dotierstoff Kohlenstoff aufweist.</p> |
