发光二极管组件、发光二极管封装结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管组件、发光二极管封装结构及其制造方法，该发光二极管组件包含半导体磊晶堆栈结构、第一电极及第二电极，半导体磊晶堆栈结构具有相对的底面与上表面，以及相对的第一侧面与第二侧面，第一电极位于半导体磊晶堆栈结构的第一侧面，第二电极位于半导体磊晶堆栈结构的底面下。

主权项

一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：发光二极管组件，包含：半导体磊晶堆栈结构，具有相对的底面与上表面，以及具有相对的第一侧面与第二侧面；第一电极，位于该半导体磊晶堆栈结构的该第一侧面，且该第一电极不遮蔽到该上表面；以及第二电极，位于该半导体磊晶堆栈结构的该底面下；第一导线架，电性连接该发光二极管组件的该第一电极，该第一导线架具有第一延伸部从该封装体的一侧朝向该半导体磊晶堆栈结构的该第一侧面延伸，该第一延伸部的端面电性耦合该第一电极；第二导线架，电性连接该发光二极管组件的该第二电极，该第一导线架与该第二导线架的水平面高度不同，且彼此之间具有间距；以及封装体，包覆该发光二极管组件、该第一导线架以及该第二导线架。