一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法

摘要

本发明属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法。本发明利用强流脉冲电子束制备硅基纳米量子点纳米材料，随后对不同参数下硅纳米量子点纳米材料进行光致发光特性PL测定，实验发现，经过HCPEB辐照制备出硅基纳米量子点纳米材料，并且所述纳米材料能够发出强度较高的蓝光。

主权项

一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法，其特征在于：利用强流脉冲电子束辐照单晶硅片制备硅基纳米量子点纳米材料，所述纳米材料能够发出蓝光；所述强流脉冲电子束的能量为24 KeV，作用时间为1.5ìs，脉冲间隔为10 s，电子束脉冲次数为10，样品距阴极电子枪距离L= 60 mm，真空度P 为10^‑5 Torr；所述作为基底的单晶硅片取向为<111>，电阻率ρ=30~50 Ω/m，厚度为T=500±10μm或所述作为基底的单晶硅片取向为<100>，电阻率ρ=1~20Ω/m，厚度T=490±10μm。