发明名称 | 混合存储器件及其控制方法、制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种混合存储器件及其控制方法、制备方法。该混合存储器件包括:铁电存储单元;及形成于铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元;混合存储器件在两种存储模式间切换:在第一种存储模式中,阻变存储单元作为存储模块,铁电存储单元作为选通模块;在第二种存储模式中,阻变存储单元处于低阻态,铁电存储单元作为存储模块。本发明综合利用了FeRAM存储方式和RRAM存储方式的优点,在单块芯片上实现了两种不同的存储方式,从而可以满足不同方式的存储需要。 | ||
申请公布号 | CN103165172B | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
申请号 | CN201110409493.0 | 申请日期 | 2011.12.09 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青 |
分类号 | G11C11/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
主权项 | 一种混合存储器件,其特征在于,包括:铁电存储单元;及形成于所述铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元;所述混合存储器件在两种存储模式间切换:在第一种存储模式中,所述阻变存储单元作为存储模块,所述铁电存储单元作为选通模块;在第二种存储模式中,所述阻变存储单元处于低阻态,所述铁电存储单元作为存储模块。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |