发明名称 混合存储器件及其控制方法、制备方法
摘要 本发明公开了一种混合存储器件及其控制方法、制备方法。该混合存储器件包括:铁电存储单元;及形成于铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元;混合存储器件在两种存储模式间切换:在第一种存储模式中,阻变存储单元作为存储模块,铁电存储单元作为选通模块;在第二种存储模式中,阻变存储单元处于低阻态,铁电存储单元作为存储模块。本发明综合利用了FeRAM存储方式和RRAM存储方式的优点,在单块芯片上实现了两种不同的存储方式,从而可以满足不同方式的存储需要。
申请公布号 CN103165172B 申请公布日期 2015.08.05
申请号 CN201110409493.0 申请日期 2011.12.09
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青
分类号 G11C11/22(2006.01)I 主分类号 G11C11/22(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种混合存储器件,其特征在于,包括:铁电存储单元;及形成于所述铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元;所述混合存储器件在两种存储模式间切换:在第一种存储模式中,所述阻变存储单元作为存储模块,所述铁电存储单元作为选通模块;在第二种存储模式中,所述阻变存储单元处于低阻态,所述铁电存储单元作为存储模块。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号