一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。

主权项

一种CMOS图像传感器封装结构，其特征在于：其包括硅衬底(200)，所述硅衬底(200)的正面为形成有微镜头(230)、金属互连层(220)和光学交互区(210)的第一表面(201)，所述硅衬底(200)的背面为第二表面(202)；其中光学交互区(210)位于硅衬底(200)正面第一表面(201)的中央，在光学交互区(210)的上方形成有金属互连层(220)，微镜头(230)阵列放置在金属互连层(220)上方，金属互连层(220)外侧形成有第一保护层(235)；通过在第一表面(201)制作未穿透硅衬底(200)的硅通孔(260)和重分布层，光学交互区(210)周围的I/O通过重分布层连接到硅通孔(260)；硅通孔(260)孔壁上制作有作钝化层(265)并用电镀工艺将孔填充；在重分布层上用聚合物材料制作有台阶式结构的第二保护层(240)；硅衬底(200)同玻璃片(250)之间通过聚合物键合胶(255)键合在一起，玻璃片(250)和硅衬底(200)之间设置有通过曝光显影形成的空腔；通过对硅衬底(200)的第二表面(202)进行研磨、蚀刻，对硅衬底(200)进行减薄后暴露出硅通孔(260)；在硅衬底(200)的第二表面(202)上制作线路层将硅通孔(260)连接到焊盘垫(290)，在线路层上制作防焊层(280)并暴露出焊盘垫(290)以保护第二表面(202)上的线路层；焊球(295)制作在焊盘垫(290)上。