衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设置有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设置有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设置有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；缓冲室，与所述第一气体供给系统、所述第二气体供给系统、所述第三气体供给系统连接；分散板，设置在所述缓冲室的下游；喷头部，具有所述缓冲室及所述分散板；衬底载置部，设置在所述分散板的下游，并电接地；处理室，内置有所述衬底载置部；开关，对在所述缓冲室内生成等离子体和在所述处理室生成等离子体进行切换；等离子体生成部，具有所述开关和电源；以及控制部，至少控制所述原料气体供给部、所述反应气体供给控制部和所述等离子体生成部。