| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供在能够用激光切断的熔丝元件中具有耐腐蚀性的半导体装置。用激光能够切断除去的熔丝元件（11）包括：激光斑点（13）所照射的大截面积的宽宽度部（A）；和邻接设置在其两侧的小截面积的窄宽度部（B），通过激光照射除去宽宽度部（A），截面积小的窄宽度部（B）成为切断面，因此即使是被切断的熔丝元件也可抑制水分的浸入。 | ||
| 申请公布号 | CN104821295A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510048787.3 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 北岛裕一郎 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;姜甜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，配置于在硅衬底上设置的绝缘膜上，具有被保护绝缘膜覆盖的激光切断用的熔丝元件，所述半导体装置的特征在于，所述熔丝元件包括：大截面积区域；以及小截面积区域，在所述大截面积区域的两侧分别邻接地连接，所述大截面积区域的截面积大于所述小截面积区域的截面积。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||