TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端及其制备方法

摘要

本发明公开了一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端及其制备方法，其结构是发射通道采用一个PIN二极管，接收支路采用两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路，在接收支路后连接两个砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道。接收前端氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上构成收发开关切换电路，二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间以及上述芯片与标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接。设计满足规模生产的标准封装，具有集成度高，成本低，性能优，一致性好，使用便利等优点。

主权项

一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端，其特征是发射通道采用一个PIN二极管，接收支路采用两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路；在接收支路后级连两个砷化镓低噪放芯片，构成整个接收通道；其中砷化镓开关芯片用于旁路第二级低噪放；其特征在于：在QFN6×6‑40L标准封装内制作集开关、驱动和低噪放一体化的接收前端，氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片分别粘接在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上分别粘接三个PIN二极管芯片、一个芯片电容构成收发开关切换电路，开关切换电路的驱动由集成硅驱动芯片实现；将PIN二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间用金丝键合连接， PIN二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片与QFN6×6‑40L标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接；其制备方法，包括以下步骤：1）在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接氮化铝AlN基板、砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片；2）在氮化铝AlN基板上用银浆粘接功率开关的三个PIN二极管芯片以及电容芯片；3）PIN二极管芯片、芯片电容与氮化铝AlN基板之间，PIN二极管芯片与QFN6×6‑40L标准封装引线框管脚之间，氮化铝AlN基板与QFN6×6‑40L标准封装引线框管脚，砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片与QFN6×6‑40L标准封装引线框管脚之间均通过键合金丝连接；所述的选用有中心金属衬底的QFN6×6‑40L标准封装引线框，在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上用高导热银浆粘接氮化铝AlN基板，提高电路的散热能力，减小热阻；所述的在AlN基板上用高导热银浆粘接大功率开关的PIN二极管芯片和芯片电容，PIN二极管芯片与氮化铝AlN基板之间通过金丝键合连接，芯片电容与氮化铝AlN基板之间通过金丝键合连接；所述的在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接集成砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片，集成砷化镓低噪放芯片、砷化镓开关芯片以及硅驱动芯片与QFN6×6‑40L标准封装引线框对应位置之间通过金丝键合连接。