一种基于可控硅的放电电路

摘要

本实用新型公开了一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅，第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联，所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动。本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻。

主权项

一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，其特征在于：电阻R6另一端与第一可控硅模块（1）中的Ⅰ号可控硅（3）、Ⅱ号可控硅（4），第二可控硅模块（2）中的Ⅲ号可控硅（5）、Ⅳ号可控硅（6）依次串联，所述的Ⅰ号可控硅（3）两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅（4）与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅（5）与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅（6）与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅（3）的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅（4）的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅（5）的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅（6）的K4、G4引脚均由驱动电路（7）的脉冲信号驱动。