碳纳米管太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供的一种碳纳米管太阳能电池，其包括：硅基底、碳纳米管薄膜、设置于硅基底和碳纳米管薄膜之间的氧化层、负电极。其中，所述氧化层选自氧化硅或者氧化铝，其厚度范围控制在1～4纳米。氧化层可以通过化学氧化或者物理沉积的方式形成。通过在碳纳米管薄膜和硅基底之间设置氧化层，相当于在碳纳米管薄膜和硅基底间形成了一个高势垒区，可以有效阻止由光激发生成的电子直接向碳纳米管薄膜传输，抑制了不可利用的暗电流的形成，提高了电池转换效率。

主权项

一种碳纳米管太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：硅基底；碳纳米管薄膜，其厚度范围为30～400纳米；氧化层，其厚度范围为1～4纳米，设置于硅基底和碳纳米管薄膜之间，且所述氧化层与所述硅基底和所述碳纳米管薄膜直接接触；负电极，设置在硅基底的远离碳纳米管薄膜一侧的表面,并与所述表面欧姆接触。